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ATOS電磁閥需要采用長(cháng)頸閥蓋結構，其日的是減少外界傳入裝置中的熱量；保證填料箱部位的溫度在0℃以上，使填料可以正常工作；防止因填料函部分過(guò)冷而使處在填料函部位的閥桿以及閥蓋上部的零件結霜或凍結。
長(cháng)頸閥蓋的設計主要是頸部長(cháng)度L的設計，L指的是填料函底部到上密封座上表面的距離，它和材料的導熱系數、導熱面積及表面散熱系數、散熱面積等因素有關(guān)，計算比較繁瑣，一般由實(shí)驗法求得。
ATOS電磁閥泄壓部件的分析
異常升壓的問(wèn)題一般只存在于低溫閘閥中。當閘閥閘板關(guān)閉后，殘留在閥體中腔的低溫介質(zhì)從周?chē)h(huán)境中大量吸收熱量，迅速汽化，在閥體內產(chǎn)生很高的壓強。異常升壓的危害很大，它可能將閘板緊緊地壓在閥座上，導致閘板卡死，使閥門(mén)不能正常工作，也可能沖壞填料和法蘭墊片，甚至引起閥體爆炸。因此必須采取措施加以避免。
常用的措施是設計泄壓孔和設置旁路系統。對小口徑閥門(mén)（DN≤300mm）可以直接在閘板靠近高壓側（即進(jìn)口端）設計一個(gè)泄壓孔，對于大口徑閥門(mén)則需增加旁路系統。對于增加了泄壓孔或旁路系統的低溫閥門(mén)必須標明介質(zhì)流向。
ATOS電磁閥上密封裝置的設計
在閥門(mén)全開(kāi)時(shí)，阻止工作介質(zhì)向填料函處泄漏的一種裝置稱(chēng)為上密封裝置。
上密封裝置有兩個(gè)作用。上密封裝置可以減小工作介質(zhì)對填料的損壞。工業(yè)閥門(mén)在絕大多數工作時(shí)間處于開(kāi)啟狀態(tài)，如無(wú)上密封裝置，則介質(zhì)壓力直接作用于填料。填料長(cháng)期處于受壓狀態(tài)，易老化。第二，當填料處有泄漏時(shí)，全開(kāi)閥門(mén)，使上密封裝置處于工作狀態(tài)，就可以帶壓進(jìn)行填料更換。因此，對于閘閥和截止閥都規定要有上密封裝置。
上密封面可用在閥蓋上堆焊鉆鉻鎢硬質(zhì)合金，然后精加工、研磨而成的工藝制得（對于奧氏體不銹鋼材料的閥蓋，可直接在閥蓋上加工上密封面），也可在專(zhuān)門(mén)的上密封座上研磨而成。
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